NI PXI應對半導體陣列測試效率卡殼四大方案之新型材料器件半導體參數(shù)測試
2025-09-02
NI PXI應對半導體陣列測試效率卡殼四大方案之新型材料器件半導體參數(shù)測試
如今的新型材料器件，目前的發(fā)展趨勢已經(jīng)由單個單元慢慢轉向大規(guī)模陣列的形式， 然而，傳統(tǒng)的半導體參數(shù)分析儀的設計主要針對單個器件單元，當測試規(guī)模從幾個通道擴展到上百上千個，如果繼續(xù)沿用傳統(tǒng)方式進行單個通道逐一測量，測試效率將面臨著極大的挑戰(zhàn)。
應用挑戰(zhàn)
新型材料與陣列器件的測試正面臨四類現(xiàn)實挑戰(zhàn)：
其一，開關時間下探至納秒/皮秒，需在可切換網(wǎng)絡下輸出并采樣超短脈沖以還原瞬態(tài)；
其二，通道規(guī)模從個位到百千級，串行掃描吞吐不足，必須多通道同步并行 I-V；
其三，需在同一平臺完成Rds（on）、Cgs、轉移/輸出曲線、1/f 噪聲等全面表征；
其四，芯片內置 ADC/DAC 普及，測試需可編程數(shù)字協(xié)議與并行脈沖時序配合批量讀寫。
測試方案介紹
為了應對這些挑戰(zhàn)，NI基于其高度模塊化的PXI平臺推出了一套面向未來計算芯片測試場景的集成式測試系統(tǒng)解決方案。該系統(tǒng)通過軟硬件一體化設計，覆蓋新型材料器件的單個節(jié)點，陣列，高精度，超快速脈沖等多種測試場景的需求，為新型器件驗證與測試提供平臺支撐。
為滿足上述復雜多元的測試需求，NI在基于PXI套件中提供了四套方案，以下是第三套方案：
新型材料器件半導體參數(shù)測試
應用背景：隨著新型半導體器件在高頻、高壓、低功耗等場景中的廣泛應用，器件特性參數(shù)的準確測量變得尤為關鍵。傳統(tǒng)參數(shù)測試設備在靈活性、通道擴展性和測量種類支持上難以滿足研發(fā)與產線并行的需求。為解決此類問題，NI推出了基于PXI平臺的半導體參數(shù)測試與分析方案，該方案適用于對MOSFET、IGBT等器件進行特性分析，也支持用戶自定義參數(shù)類型的測試，尤其適合新型器件的快速驗證與歸檔。
方案特點：軟件功能支持輸出特性曲線、轉移特性曲線、導通電阻（Rds（on））、柵源電容（Cgs）以及1/f噪聲等多種半導體參數(shù)的測量，滿足對器件的全面表征需求。
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